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FET,MOSFET - 单个
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FDN338P

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
PowerTrench®
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
115 毫欧 @ 1.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
6.2nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
451pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SuperSOT-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
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暂无价格
参考库存:41421
FET,MOSFET - 单个
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FET,MOSFET - 单个
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FET,MOSFET - 单个
T6 60V LL IN 5X6 DUAL COO
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参考库存:41439
FET,MOSFET - 单个
MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
暂无价格
参考库存:41447
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