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FET,MOSFET - 单个
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APT28M120B2

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
POWER MOS 8™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
29A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
560 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
300nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
9670pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1135W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
T-MAX™ [B2]
封装/外壳
TO-247-3 变式
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
600V, A MOS5 TM N-CHANNEL POWER
暂无价格
参考库存:56540
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23
暂无价格
参考库存:56564
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN
暂无价格
参考库存:56580
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
暂无价格
参考库存:56604
FET,MOSFET - 单个
MOSFET NCH 100V 700MA SOT23
暂无价格
参考库存:60762
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