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FET,MOSFET - 单个
IXTA1N100P参考图片

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IXTA1N100P

  • IXYS
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
Polar™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
15 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
15.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
331pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
50W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263(IXTA)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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FET,MOSFET - 单个
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FET,MOSFET - 单个
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暂无价格
参考库存:27254
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