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FET,MOSFET - 单个

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FCP11N60N-F102

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
299 毫欧 @ 5.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
35.6nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1505pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
94W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3
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FET,MOSFET - 单个
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暂无价格
参考库存:10123
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 60V 18A TO220F
暂无价格
参考库存:8097
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
暂无价格
参考库存:10994
FET,MOSFET - 单个
N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,
暂无价格
参考库存:6347
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