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FET,MOSFET - 单个
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RJL5014DPK-00#T0

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
19A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
400 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
43nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1700pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
1200V 9 MOHM SIC STACKED CASCODE
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FET,MOSFET - 单个
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参考库存:27657
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 75V 230A TO-220
暂无价格
参考库存:172026
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