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FET,MOSFET - 单个
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IRL3716SPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HEXFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
4 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
79nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5090pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
210W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
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参考库存:39237
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
暂无价格
参考库存:13818
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