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FET,MOSFET - 单个
GP1M009A090FH参考图片

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GP1M009A090FH

  • SemiQ
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
1.4 欧姆 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
65nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2324pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
48W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
暂无价格
参考库存:25526
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
暂无价格
参考库存:25534
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8
暂无价格
参考库存:25542
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
暂无价格
参考库存:25550
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
暂无价格
参考库存:25558
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