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FET,MOSFET - 单个

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IPS075N03LGBKMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
OptiMOS™
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
7.5 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
18nC @ 10V
Vgs(最大值)
18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1900pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
47W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO251-3
封装/外壳
TO-251-3 短截引线,IPak
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:28968
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
暂无价格
参考库存:12978
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
暂无价格
参考库存:28978
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CHAN 40V TO252
暂无价格
参考库存:28986
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
暂无价格
参考库存:28994
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