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FET,MOSFET - 单个
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CSD25213W10

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
47 毫欧 @ 1A、 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
2.9nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
-6V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
478pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
4-DSBGA(1x1)
封装/外壳
4-UFBGA,DSBGA
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
暂无价格
参考库存:32144
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CHAN 30V
暂无价格
参考库存:32146
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
暂无价格
参考库存:47148
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
暂无价格
参考库存:114650
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
暂无价格
参考库存:17154
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