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FET,MOSFET - 射频

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GTRA364002FC-V1-R0

  • Cree/Wolfspeed
  • 新批次
  • 400W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
GaN
零件状态
有源
晶体管类型
HEMT
频率
3.4GHz ~ 3.6GHz
增益
13dB
电压 - 测试
48V
额定电流(安培)
-
噪声系数
-
电流 - 测试
220mA
功率 - 输出
400W
电压 - 额定
125V
封装/外壳
H-37248C-4
供应商器件封装
H-37248C-4
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 射频
180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
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参考库存:36219
FET,MOSFET - 射频
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
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参考库存:8648
FET,MOSFET - 射频
FET RF 65V 500MHZ 319-07
暂无价格
参考库存:8260
FET,MOSFET - 射频
RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C
暂无价格
参考库存:8177
FET,MOSFET - 射频
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
暂无价格
参考库存:8224
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