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FET,MOSFET - 阵列
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IRF7507TRPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
HEXFET®
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.4A,1.7A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
140 毫欧 @ 1.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
260pF @ 15V
功率 - 最大值
1.25W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商器件封装
Micro8™
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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