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UGBT、MOSFET - 单
GT30J121(Q)参考图片

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GT30J121(Q)

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
60A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.45V @ 15V,30A
功率 - 最大值
170W
开关能量
1mJ(开),800µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
标准
25°C 时 Td(开/关)值
90ns/300ns
测试条件
300V,30A,24 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
300V,30A,24 欧姆,15V
工作温度
300V,30A,24 欧姆,15V
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P(N)
商品其它信息
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电话:13923432237
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司
深圳市福田区华匀大厦
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 120A 455W TO247AD
暂无价格
参考库存:39479
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
暂无价格
参考库存:87754
UGBT、MOSFET - 单
DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
暂无价格
参考库存:39497
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 80A 300W TO247
暂无价格
参考库存:39505
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
暂无价格
参考库存:16728
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