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UGBT、MOSFET - 单
STGB4M65DF2参考图片

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STGB4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
M
零件状态
Digi-Key 停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
8A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
16A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.1V @ 15V,4A
功率 - 最大值
68W
开关能量
40µJ(开),136µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
15.2nC
25°C 时 Td(开/关)值
12ns/86ns
测试条件
400V,4A,47 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
133ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 15A TO247-3L
暂无价格
参考库存:53707
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
暂无价格
参考库存:53715
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 45A 216W TO247AC
暂无价格
参考库存:53723
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF
暂无价格
参考库存:53731
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 330V 70A 160W D2PAK
暂无价格
参考库存:53739
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