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UGBT、MOSFET - 单
IXDA20N120AS参考图片

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IXDA20N120AS

  • IXYS
  • 新批次
  • IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
38A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
38A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
3V @ 15V,20A
功率 - 最大值
200W
开关能量
3.1mJ(开),2.4mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
70nC
25°C 时 Td(开/关)值
-
测试条件
600V,20A,82 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
600V,20A,82 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
TO-263
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 60A 270W TO268HV
暂无价格
参考库存:37797
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 240A 1500W TO264
暂无价格
参考库存:10595
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 80A 290W TO247
暂无价格
参考库存:10274
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 75A 300W TO263AA
暂无价格
参考库存:13516
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1700V 16A 190W TO268
暂无价格
参考库存:8158
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