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UGBT、MOSFET - 单
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IRG8P25N120KD-EPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
45A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2V @ 15V,15A
功率 - 最大值
180W
开关能量
800µJ(开),900µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
135nC
25°C 时 Td(开/关)值
20ns/170ns
测试条件
600V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
70ns
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AD
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 16A 60W TO220-3
暂无价格
参考库存:54555
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V TO247 COPAK
暂无价格
参考库存:54563
UGBT、MOSFET - 单
INDUSTRY 14
暂无价格
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UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 41A 250W TO263-3
暂无价格
参考库存:54579
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 6A 70W D2PAK
暂无价格
参考库存:54587
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