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硅电容器

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939114722410-T3S

  • Murata Electronics
  • 新批次
  • BROADBAND LOW PROFILE SILICON CA
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
BBSC
零件状态
有源
电容
1nF
容差
±15%
电压 - 击穿
30V
ESR(等效串联电阻)
500 mOhms
ESL(等效串联电感)
100pH
应用
高稳定性
特性
高可靠性,小尺寸
工作温度
-55°C ~ 150°C
封装/外壳
0201(0603 公制)
高度
0.006"(0.14mm)
大小/尺寸
0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
硅电容器
CAP SILICON 15PF 100V SMD
暂无价格
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CAP SILICON 12PF 5% 16V 0402
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CAP SILICON 1000PF 15% 11V 0402
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参考库存:46872
硅电容器
CAP SILICON 2.2PF 50V 0402
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参考库存:46880
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